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数量:144 |
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| 规格书 |
 IDD12SG60C |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| 二极管型 | Silicon Carbide Schottky |
| 电压 - 直流反向（VR）（最大值） | 600V |
| 电流 - 平均整流（Io） | 12A (DC) |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 2.1V @ 12A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 反向恢复时间（trr） | 0ns |
| 电流 - 反向漏VR | 100µA @ 600V |
| 电容@ Vr，F | 310pF @ 1V, 1MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3TO-252 |
| 类型 | Schottky Diode |
| 配置 | Single |
| 峰值反向重复电压 | 600 V |
| 峰值平均正向电流 | 12 A |
| 峰值反向电流 | 100 uA |
| 峰值正向电压 | 2.1 V |
| 峰值不重复浪涌电流 | 59 A |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 100µA @ 600V |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 2.1V @ 12A |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 600V |
| 热阻 | 1.2°C/W Jc |
| 电容@ Vr ，F | 310pF @ 1V, 1MHz |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 反向恢复时间（trr ） | 0ns |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
| 电流 - 平均整流（Io ） | 12A (DC) |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | Schottky Diodes & Rectifiers |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 系列 | IDD12SG60 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 uA |
| 封装/外壳 | TO-252 |
| 正向电压下降 | 2.1 V |
| 峰值反向电压 | 600 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 正向连续电流 | 12 A |
| 零件号别名 | IDD12SG60CXTMA1 SP000786816 |
| 最大浪涌电流 | 59 A |
| Ir - Reverse Current | 100 uA |
| 宽度 | 6.22 mm (Max) |
| Ifsm - Forward Surge Current | 59 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 600 V |
| If - Forward Current | 12 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Vf - Forward Voltage | 2.1 V |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 长度 | 6.73 mm (Max) |
| 身高 | 2.26 mm (Max) |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 技术 | SiC |
| associated | 698840 00SA |
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